美国陆军研究实验室和石溪大学的研究人员开发出一种制备InAsSb半导体的新工艺。该技术的关键在于使材料在应变下不会失真，以便探测10μm波长的光。这是InAsSb用作传感器材料必须克服的主要困难。研究人员利用应变调制技术有效管理InAsSb材料和GaAs衬底之间10%的原子间距失配。他们先在GaAs衬底上沉积GaSb中间层，限制尺寸失配造成的大部分缺陷；然后利用渐变层进一步使缺陷远离InAsSb材料。GaAs衬底为低成本生产高品质红外摄像机开辟了空间。该研究成果可实现基于III-V族长波红外材料的夜视系统，为未来陆军夜间作战提供低成本解决方案。